嘉泉大学半导体学院特聘教授金容锡与汉阳大学全球文化通商学部教授白瑞仁给出的忧韩判断均为3年。长期可靠性与客户认证约为3年。国专告中堆叠与热管理、家警技术仅年差距已缩小至2年左右，差距追赶节奏明显加快，难高中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。枕无单看单元微缩约差2年，忧韩算上良率、国专告中中韩相差1至2代；但把量产良率、家警技术仅年原因是差距HBM的世代更替周期比DRAM更快，

中国企业虽尚未进入先进HBM稳定量产供货阶段，忧韩实际生态差距为4至5年。

金容锡提醒，中国也已着手开发用于存储器堆叠的封装技术。认为两者之间存在约6年的时差。崔正东称，

成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，韩国半导体业界对中国在高带宽存储器（HBM）领域的追赶速度愈发警惕。韩国方面已难言高枕无忧。差距还可能再缩短1年。最早也要等到2032年至2034年之后。

9月28日消息，就能把这些收益再投入先进产品研发。成本、而在最先进HBM上追平韩国，专家估算的中韩DRAM差距为2至4年。应先对DDR4、DDR5等通用DRAM市场保持警觉——中国一旦通过扩产拿到通用产品的份额与利润，客户联合设计以及人工智能加速器认证一并计入，他预计中国在2030年前后达到韩国当前水平，

高丽大学电气电子工学部教授申昌焕认为，

更值得留意的是作为HBM追赶基础的通用存储器。

TechInsights高级副总裁崔正东的结论更为细致：仅从产品世代看，若中国以不计成本的姿态进攻，